- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機
- 涂布機
- 等離子清洗機
- 放電等離子燒結爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機
- 快速退火爐
- 晶體生長爐
- 真空管式爐
- 旋轉管式爐
- PECVD氣相沉積系統
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區域提純爐
- 微波燒結爐
- 粉末壓片機
- 真空手套箱
- 真空熱壓機
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質量流量計
- 真空法蘭
- 混料機設備
- UV光固機
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環境模擬試驗設備
- 實驗室產品配件
- 實驗室鍍膜耗材
- 其他產品
各種鍍膜技術的比較
|
鍍膜方法 |
真空蒸鍍 |
濺射鍍 |
離子鍍 |
化學反應鍍 |
|
可鍍物質 |
金屬 |
金屬某些化合物 |
金屬、合金、化合物、陶瓷、高分子物質 |
金屬、合金、陶瓷、化合物 |
|
膜材蒸發方式 |
真空蒸鍍 |
真空濺射 |
蒸鍍、濺射 |
化學反應 |
|
基體加溫范圍℃ |
30~200 |
150~500 |
150~800 |
300~1100 |
|
沉積速率nm/min |
2500~75000 |
10~100 |
2500~50000 |
遠大于PVD |
|
界面附著強度 |
一般 |
較好 |
好 |
好 |
|
膜的純度 |
取決于膜材及膜材支撐舟或坩堝的純度 |
取決于靶材的純度和濺射氣體的純度 |
取決于膜材、坩堝及反應氣體的純度 |
取決于反應氣體 |
|
膜的性質 |
膜層不大均勻 |
高密度，針孔少，膜層交均勻 |
高密度，較均勻，針孔少 |
純度高，致密性好 |
|
對復雜表面的鍍敷能力 |
只鍍基片的直射表面 |
只鍍基片的直射表面 |
繞射性好，能鍍所有表面，膜均勻 |
可鍍復雜形狀的表面，沉積表面平滑 |
|
鍍膜方法 |
蒸發法 |
磁控濺射法 |
電鍍法 |
|
|
方式 |
干式 |
干式 |
濕式 |
|
|
優缺點 |
可鍍基材廣泛 |
可鍍基材范圍廣，在低溫能鍍多種合金膜 |
物理性能好，但基材和鍍膜金屬有局限性 |
|
|
用途 |
裝飾膜，光學膜，電學膜，磁性膜等 |
裝飾膜，光學膜，電學膜，磁性膜等 |
金屬和部分塑料的表面保護層和裝飾層 |
|
|
鍍膜 |
原理 |
蒸發 |
離子轟擊靶材 |
電解 |
|
狀態 |
中性 |
中性 |
離子 |
|
|
粒子能量 |
0.2eV(1200℃) |
0.1eV-10eV |
0.2eV |
|
|
表面 |
鍍膜前處理 |
涂底涂層，在真空中脫氣 |
涂底涂層，在真空中脫氣 |
化學腐蝕 |
|
粒子穿透深度 |
0，只在表面附著 |
有一點程度的穿透 |
化學腐蝕 |
|
|
處理過程 |
離子 |
—— |
＜0.1% |
100% |
|
中性勵起電子 |
—— |
＜10% |
—— |
|
|
熱中性粒子 |
100% |
＜90% |
—— |
|
|
鍍膜材料 |
可選用 |
金屬 |
金屬，非金屬 |
金屬 |
|
難與選用或不能選用 |
蒸汽壓非常低的材料，化合物，合金 |
易分解的化合物，蒸汽壓非常高的材料 |
易氧化的材料，高熔點材料，非金屬易氧化的材料，高熔點材料，非金屬 |
|
|
可鍍基材 |
金屬塑料玻璃等 |
金屬塑料玻璃等 |
金屬，部分材料 |
|
|
附著力 |
不好 |
不好-稍微好 |
良好 |
|
